
额定功率 1 W
通道数 1
漏源极电阻 12.0 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 0.74 W
阈值电压 1.5 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
宽度 4.19 mm
封装 TO-92-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bag
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541900000
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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VP2106N3-G | Supertex 超科 | Trans MOSFET P-CH 60V 0.25A 3Pin TO-92 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: VP2106N3-G 品牌: Supertex 超科 封装: TO-92 P-Channel 12ohms | 当前型号 | Trans MOSFET P-CH 60V 0.25A 3Pin TO-92 | 当前型号 | |
型号: BS170 品牌: 安森美 封装: TO-92 N-Channel 500mA 5Ω 60pF | 功能相似 | 小信号N沟道TO-92-3封装场效应管 | VP2106N3-G和BS170的区别 | |
型号: 2N6660 品牌: 超科 封装: TO-39 N-Channel 410mA 3ohms | 功能相似 | Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 3Pin TO-39 | VP2106N3-G和2N6660的区别 | |
型号: 2N7002 品牌: NTE Electronics 封装: | 功能相似 | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3Pin SOT-23 T/R | VP2106N3-G和2N7002的区别 |