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VS-1EFH02-M3/I

VS-1EFH02-M3/I

数据手册.pdf

FRED Pt® 超高速恢复整流器Vishay FRED Pt®(高速恢复外延二极管)产品系列是超高速二极管,包含掺铂 Pt 技术。 此系列在高温度下提供极低泄漏电流,及 175°C 的最高连接工作温度。 典型恢复时间 35 秒或更少。### 系列特征系列特征 VRRM 从 200V 到 600V 最低 Qrr,125°C 时 最低 VF,IF 时 提高开关模式电源效率 软恢复,用于降低 EMI,在高 dIF/dt 下 TJ(最大)175 °C 符合 AEC-Q101 ### 二极管和整流器,Vishay Semiconductor

Diode Standard 200V 1A Surface Mount DO-219AB SMF


得捷:
DIODE GEN PURP 200V 1A SMF


欧时:
### FRED Pt® 超高速恢复整流器Vishay FRED Pt®(高速恢复外延二极管)产品系列是超高速二极管,包含掺铂 Pt 技术。 此系列在高温度下提供极低泄漏电流,及 175°C 的最高连接工作温度。 典型恢复时间 35 秒或更少。### 系列特征系列特征 VRRM 从 200V 到 600V 最低 Qrr,125°C 时 最低 VF,IF 时 提高开关模式电源效率 软恢复,用于降低 EMI,在高 dIF/dt 下 TJ(最大)175 °C 符合 AEC-Q101 ### 二极管和整流器,Vishay Semiconductor


艾睿:
Diode Switching 200V 1A 2-Pin SMF T/R


VS-1EFH02-M3/I中文资料参数规格
技术参数

正向电压 930mV @1A

反向恢复时间 16 ns

正向电流Max 1 A

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 DO-219AB

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.9 mm

高度 1.08 mm

封装 DO-219AB

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

VS-1EFH02-M3/I引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
VS-1EFH02-M3/I Vishay Semiconductor 威世 FRED Pt® 超高速恢复整流器 Vishay FRED Pt®(高速恢复外延二极管)产品系列是超高速二极管,包含掺铂 Pt 技术。 此系列在高温度下提供极低泄漏电流,及 175°C 的最高连接工作温度。 典型恢复时间 35 秒或更少。 ### 系列特征 系列特征 VRRM 从 200V 到 600V 最低 Qrr,125°C 时 最低 VF,IF 时 提高开关模式电源效率 软恢复,用于降低 EMI,在高 dIF/dt 下 TJ(最大)175 °C 符合 AEC-Q101 ### 二极管和整流器,Vishay Semiconductor 搜索库存
替代型号VS-1EFH02-M3/I
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: VS-1EFH02-M3/I

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: DO-219

当前型号

FRED Pt® 超高速恢复整流器Vishay FRED Pt®(高速恢复外延二极管)产品系列是超高速二极管,包含掺铂 Pt 技术。 此系列在高温度下提供极低泄漏电流,及 175°C 的最高连接工作温度。 典型恢复时间 35 秒或更少。### 系列特征系列特征 VRRM 从 200V 到 600V 最低 Qrr,125°C 时 最低 VF,IF 时 提高开关模式电源效率 软恢复,用于降低 EMI,在高 dIF/dt 下 TJ(最大)175 °C 符合 AEC-Q101 ### 二极管和整流器,Vishay Semiconductor

当前型号

型号: VS-1EFH02W-M3-18

品牌: 威世

封装: DO-219

完全替代

FRED Pt® 超高速恢复整流器Vishay FRED Pt®(高速恢复外延二极管)产品系列是超高速二极管,包含掺铂 Pt 技术。 此系列在高温度下提供极低泄漏电流,及 175°C 的最高连接工作温度。 典型恢复时间 35 秒或更少。### 系列特征系列特征 VRRM 从 200V 到 600V 最低 Qrr,125°C 时 最低 VF,IF 时 提高开关模式电源效率 软恢复,用于降低 EMI,在高 dIF/dt 下 TJ(最大)175 °C 符合 AEC-Q101 ### 二极管和整流器,Vishay Semiconductor

VS-1EFH02-M3/I和VS-1EFH02W-M3-18的区别