VS-1EFH01HM3/I中文资料参数规格
技术参数
正向电压 930mV @1A
反向恢复时间 16 ns
正向电流 1 A
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 65 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 DO-219AB-2
外形尺寸
封装 DO-219AB-2
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
VS-1EFH01HM3/I引脚图与封装图
暂无图片
在线购买VS-1EFH01HM3/I
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| VS-1EFH01HM3/I | Vishay Semiconductor 威世 | Diode Hyperfast Rectifier 100V 1A 2Pin DO-219AB Plastic T/R | 搜索库存 |
替代型号VS-1EFH01HM3/I
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： VS-1EFH01HM3/I 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： DO-219 | 当前型号 | Diode Hyperfast Rectifier 100V 1A 2Pin DO-219AB Plastic T/R | 当前型号 |
| 型号： VS-1EFH01WHM3-18 品牌： 威世 封装： DO-219 | 类似代替 | Diode Switching 100V 1A 2Pin SMF T/R | VS-1EFH01HM3/I和VS-1EFH01WHM3-18的区别 |