VDI25-12P1

IXYS Semiconductor 分立器件

Trans IGBT Module N-CH 1200V 30A 130000mW 10Pin ECO-PAC 2

IGBT Module NPT Single 1200V 30A 130W Chassis Mount ECO-PAC2

得捷:
IGBT MOD 1200V 30A 130W ECO-PAC2

艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 30A 10-Pin ECO-PAC 2

VDI25-12P1中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 130000 mW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 1nF @25V

额定功率Max 130 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 130000 mW

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 10

封装 ECO-PAC2

外形尺寸

高度 8 mm

封装 ECO-PAC2

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

VDI25-12P1引脚图与封装图

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VDI25-12P1	IXYS Semiconductor	Trans IGBT Module N-CH 1200V 30A 130000mW 10Pin ECO-PAC 2	搜索库存