VNS1NV04D-E中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 40.0 V
额定电流 1.70 A
输出接口数 2
漏源极电阻 250 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 4.00 W
漏源极电压Vds 40.0 V
漏源击穿电压 40.0 V
连续漏极电流Ids 500 mA
输出电流Max 1.7 A
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
海关信息
ECCN代码 EAR99
VNS1NV04D-E引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| VNS1NV04D-E | ST Microelectronics 意法半导体 | â ???? OMNIFET IIA ???? ：全AUTOPROTECTED功率MOSFET âOMNIFET IIâ: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET | 搜索库存 |