VNS1NV04D
数据手册.pdf
ST Microelectronics
意法半导体
电源器件
VNS1NV04D中文资料参数规格
技术参数
通道数 2
漏源极电阻 250 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 4 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 55 V
漏源击穿电压 40.0 V
连续漏极电流Ids 1.70 A
钳位电压 45 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC
外形尺寸
封装 SOIC
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
VNS1NV04D引脚图与封装图
暂无图片
在线购买VNS1NV04D
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| VNS1NV04D | ST Microelectronics 意法半导体 | “ OMNIFET II ” ：全AUTOPROTECTED功率MOSFET “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET | 搜索库存 |
替代型号VNS1NV04D
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： VNS1NV04D 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： | 当前型号 | “ OMNIFET II ” ：全AUTOPROTECTED功率MOSFET “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET | 当前型号 |
| 型号： BTS3405G 品牌： 英飞凌 封装： DSO-8 0V 8Pin | 功能相似 | INFINEON BTS3405G 智能电源开关, 低压侧, 10V, 0.9A, SOIC-8 | VNS1NV04D和BTS3405G的区别 |
| 型号： BTS3410G 品牌： 英飞凌 封装： DSO-8 10V 8Pin | 功能相似 | HITFET™ 智能低侧电源开关，InfineonHITFET™ 汽车智能低电压端开关系列内置 ESD、过温、短路和过载状况保护。 HITFET 系列具有高达 480 毫欧的开关接通电阻，且可标出 RDSon。诊断或闩锁和重启保护 易于嵌入式更换 ### 电源和负载开关，Toshiba集成高侧和低侧智能电源开关电路包含很多功能性和保护特征，如过电流、过电压、短路、断路负载、过温度和电源逆转。 这些高度集成设备利用低接通电阻 MOSFET 晶体管，以最小化功耗并保持高效率。 | VNS1NV04D和BTS3410G的区别 |
| 型号： BTS3405GXUMA1 品牌： 英飞凌 封装： SOIC | 功能相似 | INFINEON BTS3405GXUMA1 智能电源开关, 低压侧, 10V, 0.9A, SOIC-8 | VNS1NV04D和BTS3405GXUMA1的区别 |