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VNN1NV04TR-E

VNN1NV04TR-E

数据手册.pdf

OMNIFET II完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET

Power Switch/Driver 1:1 N-Channel 1.7A SOT-223


得捷:
IC PWR MOSFET N-CHAN 1:1 SOT223


贸泽:
门驱动器 N-Ch 40V 1.7A Omni


艾睿:
Linear Current Limitation


TME:
Transistor: unipolar, N-MOSFET; 40V; 1.7A; SOT223


Win Source:
OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET


VNN1NV04TR-E中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 45.0V max

输出接口数 1

输出电流 2.60 A

漏源极电阻 250 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 7.00 W

漏源击穿电压 40.0 V

连续漏极电流Ids 1.70 A

输出电流Max 1.7 A

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

VNN1NV04TR-E引脚图与封装图
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VNN1NV04TR-E ST Microelectronics 意法半导体 OMNIFET II完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET 搜索库存