UMC5N-7

Diodes(美台) 分立器件

双极晶体管 - 预偏置 150mW +/-100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased Dual 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount SOT-353

得捷:
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT353

贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 150mW +/-100mA

艾睿:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 30mA/100mA Automotive 5-Pin SOT-353 T/R

Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN/PNP 30mA/100mA 5-Pin SOT-353 T/R

Win Source:
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT353

UMC5N-7中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN+PNP

耗散功率 150 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 30mA/100mA

最小电流放大倍数hFE 68

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 5

封装 SOT-353-5

外形尺寸

长度 2.2 mm

宽度 1.35 mm

高度 1 mm

封装 SOT-353-5

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

UMC5N-7引脚图与封装图

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