UNR111D
数据手册.pdf
Panasonic
松下
主动器件
UNR111D中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -100 mA
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
封装参数
封装 M-A1
外形尺寸
封装 M-A1
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
UNR111D引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| UNR111D | Panasonic 松下 | PNP硅外延平面晶体管 Silicon PNP epitaxial planer transistor | 搜索库存 |
替代型号UNR111D
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： UNR111D 品牌： Panasonic 松下 封装： M-A1 PNP 50V 100mA | 当前型号 | PNP硅外延平面晶体管 Silicon PNP epitaxial planer transistor | 当前型号 |
| 型号： UN111D 品牌： 松下 封装： | 功能相似 | PNP硅外延平面晶体管 Silicon PNP epitaxial planer transistor | UNR111D和UN111D的区别 |
