
频率 100MHz ~ 500MHz
耗散功率 116 W
输出功率 40 W
增益 10 dB
测试电流 500 mA
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 116000 mW
额定电压 65 V
引脚数 5
封装 319-07
封装 319-07
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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UF2840G | M/A-Com | 射频MOSFET功率晶体管, 4OW , 28V 100 - 500兆赫 RF MOSFET Power Transistor, 4OW, 28V 100 - 500 MHz | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: UF2840G 品牌: M/A-Com 封装: 116000mW | 当前型号 | 射频MOSFET功率晶体管, 4OW , 28V 100 - 500兆赫 RF MOSFET Power Transistor, 4OW, 28V 100 - 500 MHz | 当前型号 | |
型号: BLF546 品牌: 恩智浦 封装: SOT-268-5 65V 9A | 功能相似 | 超高频推挽功率MOS晶体管 UHF push-pull power MOS transistor | UF2840G和BLF546的区别 | |
型号: UF2840P 品牌: M/A-Com 封装: | 功能相似 | 射频MOSFET功率晶体管, 4OW , 28V 100 - 500兆赫 RF MOSFET Power Transistor, 4OW, 28V 100 - 500 MHz | UF2840G和UF2840P的区别 | |
型号: BLF545 品牌: 恩智浦 封装: | 功能相似 | 超高频推挽功率MOS晶体管 UHF push-pull power MOS transistor | UF2840G和BLF545的区别 |