UT6J3TCR

ROHM Semiconductor 罗姆半导体分立器件

2个P沟道 20V 3A

Mosfet Array 2 P-Channel Dual 20V 3A 2W Surface Mount HUML2020L8

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2个P沟道 20V 3A

得捷:
-20V PCH+PCH POWER MOSFET

贸泽:
MOSFET -20V Pch+Pch Si MOSFET

UT6J3TCR中文资料参数规格

技术参数

通道数 2

极性 P-CH

耗散功率 2 W

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 ±20 V

连续漏极电流Ids 3A

输入电容Ciss 2000pF @10VVds

额定功率Max 2 W

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 PowerUDFN-6

外形尺寸

封装 PowerUDFN-6

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

UT6J3TCR引脚图与封装图

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