UT6MA3TCR

ROHM Semiconductor 罗姆半导体主动器件

双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 5.5 A, 20 V, 0.03 ohm, 4.5 V, 1.5 V

Mosfet Array N and P-Channel 20V 5A, 5.5A 2W Surface Mount HUML2020L8

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1个N沟道和1个P沟道 20V

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20V NCH+PCH MIDDLE POWER MOSFET

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双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 20 V, 5.5 A, 0.03 ohm, DFN, 表面安装

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20V Nch+Pch Middle Power MOSFET

UT6MA3TCR中文资料参数规格

技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.03 Ω

极性 N-Channel, P-Channel

耗散功率 2 W

阈值电压 1.5 V

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 5.5A/5A

输入电容Ciss 460pF @10VVds

额定功率Max 2 W

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 PowerUDFN-6

外形尺寸

封装 PowerUDFN-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准

含铅标准无铅

UT6MA3TCR引脚图与封装图

UT6MA3TCR引脚图

UT6MA3TCR封装图

UT6MA3TCR封装焊盘图

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UT6MA3TCR	ROHM Semiconductor 罗姆半导体	双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 5.5 A, 20 V, 0.03 ohm, 4.5 V, 1.5 V	搜索库存