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US1MHE3/5AT

US1MHE3/5AT

数据手册.pdf

DIODE FAST REC 1kV 1A DO214AC

FEATURES

• Low profile package

• Ideal for automated placement

• Glass passivated chip junction

• Ultrafast reverse recovery time

• Low switching losses, high efficiency

• High forward surge capability

• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C

• AEC-Q101 qualified


得捷:
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC


US1MHE3/5AT中文资料参数规格
技术参数

正向电压 1.7V @1A

反向恢复时间 75 ns

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DO-214AC

外形尺寸

封装 DO-214AC

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

US1MHE3/5AT引脚图与封装图
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US1MHE3/5AT Vishay Semiconductor 威世 DIODE FAST REC 1kV 1A DO214AC 搜索库存
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型号: US1MHE3/5AT

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: DO-214AC

当前型号

DIODE FAST REC 1kV 1A DO214AC

当前型号

型号: US1MHE3_A/I

品牌: 威世

封装: DO-214

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