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ROHM Semiconductor 罗姆半导体 分立器件

US6M2 复合场效应管 30V/-20V 1.5A/1.0A SOT-363/SC70-6/UMT6 marking/标记 M02 高速开关 2.5V驱动

2.5V Drive Nch+Nch MOS FET ●Structure: Silicon N-channel MOS FET Silicon P-channel MOS FET ●Features: 1 Nch MOS FET and PchMOS FET are put in TUMT6 package. 2 High-speed switching, lowOn-resistance. 3 Low voltage drive 2.5V drive. 4 Built-in G-S Protection Diode ●Applications: Switching


US6M2中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.24 Ω

极性 N+P

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 1.5A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-363

外形尺寸

封装 SOT-363

其他

产品生命周期 Active

最小包装 3000

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

US6M2引脚图与封装图
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US6M2 ROHM Semiconductor 罗姆半导体 US6M2 复合场效应管 30V/-20V 1.5A/1.0A SOT-363/SC70-6/UMT6 marking/标记 M02 高速开关 2.5V驱动 搜索库存