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UML1N
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 电子元器件分类

UML1N PNP+DI 2SA1037+DI 三极管+二极管 SOT353 代码 L1

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO | -60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO | -50V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC | -0.15A 截止频率fT Transtion FrequencyfT | 140MHZ 直流电流增益hFE DC Current GainhFE | 120~560 管压降VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage | -0.5V 反向电压VR Reverse Voltage | 80V 正向整流电流Io Rectified Current | 0.1A 正向电压降VF Forward VoltageVf | 1.2V 描述与应用 Description & Applications | 2SA1037+DI


Win Source:
Low-frequency transistor


UML1N中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP+Di

击穿电压集电极-发射极 -50V

集电极最大允许电流 -0.15A

最小电流放大倍数hFE 120

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-353

外形尺寸

封装 SOT-353

其他

产品生命周期 Not Recommended

最小包装 3000

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

UML1N引脚图与封装图
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