UMD3NFHATR

ROHM Semiconductor 罗姆半导体分立器件

ROHM UMD3NFHATR 晶体管双极预偏置/数字, NPN+PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SOT-363 新

- 双极 BJT - 阵列 - 预偏置 NPN + PNP 50V 100mA 250MHz 150mW 表面贴装型 UMT6

得捷:
PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR WITH

贸泽:
ROHM Semiconductor

e络盟:
晶体管双极预偏置/数字, NPN+PNP, NPN和PNP执行, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率

Newark:
# ROHM UMD3NFHATR TRANS, NPN/PNP, AECQ101, 10K/10K, SOT363

UMD3NFHATR中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN+PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 30 @5mA, 5V

额定功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-363

外形尺寸

封装 SOT-363

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

UMD3NFHATR引脚图与封装图

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UMD3NFHATR	ROHM Semiconductor 罗姆半导体	ROHM UMD3NFHATR 晶体管双极预偏置/数字, NPN+PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SOT-363 新	搜索库存