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US1BHE3_A/I

US1BHE3_A/I

数据手册.pdf

整流器 100 Volt 1.0A 50ns 30 Amp IFSM

FEATURES

• Low profile package

• Ideal for automated placement

• Glass passivated chip junction

• Ultrafast reverse recovery time

• Low switching losses, high efficiency

• High forward surge capability

• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C

• AEC-Q101 qualified


得捷:
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC


贸泽:
整流器 100 Volt 1.0A 50ns 30 Amp IFSM


安富利:
1A, 100V, 50NS, UF RECT, SMD


US1BHE3_A/I中文资料参数规格
技术参数

正向电压 1V @1A

反向恢复时间 50 ns

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DO-214AC

外形尺寸

封装 DO-214AC

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

US1BHE3_A/I引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
US1BHE3_A/I Vishay Semiconductor 威世 整流器 100 Volt 1.0A 50ns 30 Amp IFSM 搜索库存
替代型号US1BHE3_A/I
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: US1BHE3_A/I

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: DO-214

当前型号

整流器 100 Volt 1.0A 50ns 30 Amp IFSM

当前型号

型号: US1BHE3/5AT

品牌: 威世

封装: DO-214AC

完全替代

DIODE 1A, 100V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMA, 2Pin, Signal Diode

US1BHE3_A/I和US1BHE3/5AT的区别