US6T8TR
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
US6T8TR中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
耗散功率 1000 mW
击穿电压集电极-发射极 12 V
集电极最大允许电流 1.5A
最小电流放大倍数hFE 270 @200mA, 2V
额定功率Max 400 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SMD-6
外形尺寸
封装 SMD-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
US6T8TR引脚图与封装图 
US6T8TR引脚图
US6T8TR封装图
US6T8TR封装焊盘图
替代型号US6T8TR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： US6T8TR 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： TUMT PNP 1000mW | 当前型号 | TUMT PNP 12V 1.5A | 当前型号 |
| 型号： QST8TR 品牌： 罗姆半导体 封装： SC-74 PNP 1250mW | 功能相似 | QST8 系列 12 V 1.5 mA 表面贴装 PNP 通用 放大器 - TSMT -6 | US6T8TR和QST8TR的区别 |