US6X7TR
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
US6X7TR中文资料参数规格
技术参数
频率 400 MHz
极性 NPN
耗散功率 1 W
击穿电压集电极-发射极 12 V
集电极最大允许电流 1.5A
最小电流放大倍数hFE 270 @200mA, 2V
额定功率Max 400 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SMD-6
外形尺寸
封装 SMD-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
US6X7TR引脚图与封装图 
US6X7TR引脚图
US6X7TR封装图
US6X7TR封装焊盘图
替代型号US6X7TR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： US6X7TR 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： TUMT NPN 1000mW | 当前型号 | TUMT NPN 12V 1.5A | 当前型号 |
| 型号： QSX7TR 品牌： 罗姆半导体 封装： SC-74 NPN 1250mW | 功能相似 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT TRANS GP BJT NPN 12V 1.5A 6PIN | US6X7TR和QSX7TR的区别 |