US1GHE3/5AT

Vishay Semiconductor(威世) 分立器件

DIODE 1A, 400V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMA, 2Pin, Signal Diode

FEATURES

• Low profile package

• Ideal for automated placement

• Glass passivated chip junction

• Ultrafast reverse recovery time

• Low switching losses, high efficiency

• High forward surge capability

• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C

• AEC-Q101 qualified

得捷:
DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

贸泽:
Rectifiers 400 Volt 1.0A 50ns 30 Amp IFSM

富昌:
US1G 系列 2 A 400 V 50 ns 表面贴装超快整流器 - DO-214AC

US1GHE3/5AT中文资料参数规格

技术参数

正向电压 1V @1A

反向恢复时间 50 ns

正向电流 1 A

正向电压Max 1V @1A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DO-214AC

外形尺寸

长度 4.5 mm

宽度 2.79 mm

高度 2.09 mm

封装 DO-214AC

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

US1GHE3/5AT引脚图与封装图

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在线购买US1GHE3/5AT

型号	制造商	描述	购买
US1GHE3/5AT	Vishay Semiconductor 威世	DIODE 1A, 400V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMA, 2Pin, Signal Diode	搜索库存

替代型号US1GHE3/5AT

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： US1GHE3/5AT 品牌： Vishay Semiconductor 威世封装： DO-214AC	当前型号	DIODE 1A, 400V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMA, 2Pin, Signal Diode	当前型号
型号： US1G-E3/5AT 品牌：威世封装：	类似代替	VISHAY US1G-E3/5AT 快速/超快二极管, 单, 400 V, 1 A, 1 V, 50 ns, 30 A	US1GHE3/5AT和US1G-E3/5AT的区别
型号： US1G-E3 品牌：威世封装： DO-214AC	类似代替	1A，Vishay SemiconductorVishay 超快恢复整流器，具有非常快速的低至 15ns 反向恢复时间和高达 1500V 的电压级别。典型应用包括较高频率切换模式电源 SMPS、反相器和续流二极管。### 二极管和整流器，Vishay Semiconductor	US1GHE3/5AT和US1G-E3的区别
型号： US1G-13-F 品牌：美台封装： SMA 400V 1A	功能相似	US1G-13-F 编带	US1GHE3/5AT和US1G-13-F的区别