US6K2TR
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
US6K2TR中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 1.40 A
漏源极电阻 0.27 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1 W
输入电容 70 pF
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
连续漏极电流Ids 1.40 A
上升时间 6 ns
输入电容Ciss 70pF @10VVds
额定功率Max 1 W
下降时间 8 ns
耗散功率Max 1000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SMD-6
外形尺寸
封装 SMD-6
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
US6K2TR引脚图与封装图 
US6K2TR引脚图
US6K2TR封装图
US6K2TR封装焊盘图
替代型号US6K2TR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： US6K2TR 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： 6-SMD N-Channel 30V 1.4A 270mΩ | 当前型号 | 30V,1.4A,双N沟道MOSFET | 当前型号 |
| 型号： US6M1TR 品牌： 罗姆半导体 封装： TUMT6 N-Channel 20V 1.4A 270mΩ | 功能相似 | N-沟道 + P-沟道 2 W 30 V/-20 V 280 mOhm 表面贴装 4 + 2.5 V 驱动 MosFet -TUMT-6 | US6K2TR和US6M1TR的区别 |