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US6K1TR
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 分立器件

N-沟道 30 V 340 mΩ 1 W 表面贴装 2.5 V 驱动 MosFet - TUMT-6

MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 30V 1.5A 1W 表面贴装型 TUMT6


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MOSFET 2N-CH 30V 1.5A TUMT6


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双路场效应管, MOSFET, N沟道, 30 V, 1.5 A, 0.34 ohm, TUMT, 表面安装


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US6K1TR中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 1.50 A

针脚数 8

漏源极电阻 0.34 Ω

极性 N-Channel, Dual N-Channel

耗散功率 1 W

阈值电压 1.5 V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30.0 V

连续漏极电流Ids 1.50 A

上升时间 9 ns

输入电容Ciss 80pF @10VVds

额定功率Max 1 W

下降时间 6 ns

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TUMT-6

外形尺寸

封装 TUMT-6

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

US6K1TR引脚图与封装图
US6K1TR引脚图

US6K1TR引脚图

US6K1TR封装图

US6K1TR封装图

US6K1TR封装焊盘图

US6K1TR封装焊盘图

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