UM6J1NTN
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
通道数 2
针脚数 6
漏源极电阻 900 mΩ
极性 Dual P-Channel
耗散功率 150 mW
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 0.2A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 30pF @10VVds
额定功率Max 150 mW
下降时间 40 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363-6
长度 2.1 mm
宽度 1.35 mm
高度 0.9 mm
封装 SOT-363-6
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
UM6J1NTN引脚图
UM6J1NTN封装图
UM6J1NTN封装焊盘图