UM6K34NTCN
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
针脚数 6
漏源极电阻 1.6 Ω
极性 Dual N-Channel
耗散功率 0.15 W
阈值电压 800 mV
漏源极电压Vds 50 V
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 26pF @10VVds
额定功率Max 120 mW
下降时间 43 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 120 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363-6
封装 SOT-363-6
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
UM6K34NTCN引脚图
UM6K34NTCN封装图
UM6K34NTCN封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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UM6K34NTCN | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 200 mA, 50 V, 1.6 ohm, 4.5 V, 800 mV | 搜索库存 |