针脚数 6
漏源极电阻 1.6 Ω
极性 Dual N-Channel
耗散功率 0.15 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 50 V
上升时间 6 ns
输入电容Ciss 25pF @10VVds
额定功率Max 120 mW
下降时间 55 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSSOP-6
长度 2.1 mm
宽度 1.35 mm
高度 0.9 mm
封装 TSSOP-6
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
UM6K33NTN引脚图
UM6K33NTN封装图
UM6K33NTN封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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UM6K33NTN | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 双 N 通道 MOSFET 晶体管,ROHM ### MOSFET 晶体管,ROHM Semiconductor | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: UM6K33NTN 品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装: 6-TSSOP Dual N-Channel | 当前型号 | 双 N 通道 MOSFET 晶体管,ROHM### MOSFET 晶体管,ROHM Semiconductor | 当前型号 | |
型号: EM6K33T2R 品牌: 罗姆半导体 封装: SOT-563 N-CH 50V 0.2A | 功能相似 | EMT N-CH 50V 0.2A | UM6K33NTN和EM6K33T2R的区别 |