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US6J2TR
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 分立器件

20V,1A,双P沟道MOSFET

Mosfet Array 2 P-Channel Dual 20V 1A 1W Surface Mount TUMT6


得捷:
MOSFET 2P-CH 20V 1A TUMT6


贸泽:
MOSFET 2P-CH 20V 1A


安富利:
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 6-Pin TUMT T/R


力源芯城:
20V,1A,双P沟道MOSFET


DeviceMart:
MOSFET 2P-CH 20V 1A TUMT6


Win Source:
MOSFET 2P-CH 20V 1A TUMT6


US6J2TR中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -20.0 V

额定电流 -1.00 A

漏源极电阻 0.57 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 1 W

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 1.00 A

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 150pF @10VVds

额定功率Max 1 W

下降时间 10 ns

耗散功率Max 1 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-363-6

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.7 mm

高度 0.77 mm

封装 SOT-363-6

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

US6J2TR引脚图与封装图
US6J2TR引脚图

US6J2TR引脚图

US6J2TR封装图

US6J2TR封装图

US6J2TR封装焊盘图

US6J2TR封装焊盘图

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