额定电压DC 30.0 V
额定电流 100 mA
针脚数 6
漏源极电阻 8 Ω
极性 Dual N-Channel
耗散功率 150 mW
阈值电压 1.5 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
连续漏极电流Ids 100 mA
上升时间 35 ns
输入电容Ciss 13pF @5VVds
额定功率Max 150 mW
下降时间 80 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-70-6
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.9 mm
封装 SC-70-6
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
UM6K1NTN引脚图
UM6K1NTN封装图
UM6K1NTN封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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UM6K1NTN | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | ROHM UM6K1NTN 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 10 mA, 30 V, 8 ohm, 4 V, 1.5 V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: UM6K1NTN 品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装: SOT-363 Dual N-Channel 30V 100mA 7Ω | 当前型号 | ROHM UM6K1NTN 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 10 mA, 30 V, 8 ohm, 4 V, 1.5 V | 当前型号 | |
型号: UM6K1N-TP 品牌: 美微科 封装: | 功能相似 | SOT-363 N-CH 30V 0.1A | UM6K1NTN和UM6K1N-TP的区别 |