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UM6K1NTN
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 分立器件

ROHM  UM6K1NTN  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 10 mA, 30 V, 8 ohm, 4 V, 1.5 V

MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 30V 100mA 150mW 表面贴装型 UMT6


得捷:
MOSFET 2N-CH 30V .1A SOT-363


立创商城:
2个N沟道 30V 100mA


贸泽:
MOSFET 2N-CH 30V .1A SOT-363


e络盟:
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艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 6-Pin UMT T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 0.1A 6-Pin UMT T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 0.1A 6-Pin UMT T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 6-Pin UMT T/R


儒卓力:
**N+N CHANNEL-FET 0,1A 30V UMT6 **


力源芯城:
30V,0.1A双N沟道MOSFET


Win Source:
MOSFET 2N-CH 30V .1A SOT-363


DeviceMart:
MOSFET 2N-CH 30V .1A SOT-363


UM6K1NTN中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 100 mA

针脚数 6

漏源极电阻 8 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 150 mW

阈值电压 1.5 V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30.0 V

连续漏极电流Ids 100 mA

上升时间 35 ns

输入电容Ciss 13pF @5VVds

额定功率Max 150 mW

下降时间 80 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-70-6

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 0.9 mm

封装 SC-70-6

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

UM6K1NTN引脚图与封装图
UM6K1NTN引脚图

UM6K1NTN引脚图

UM6K1NTN封装图

UM6K1NTN封装图

UM6K1NTN封装焊盘图

UM6K1NTN封装焊盘图

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型号 制造商 描述 购买
UM6K1NTN ROHM Semiconductor 罗姆半导体 ROHM  UM6K1NTN  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 10 mA, 30 V, 8 ohm, 4 V, 1.5 V 搜索库存
替代型号UM6K1NTN
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: UM6K1NTN

品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体

封装: SOT-363 Dual N-Channel 30V 100mA 7Ω

当前型号

ROHM  UM6K1NTN  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 10 mA, 30 V, 8 ohm, 4 V, 1.5 V

当前型号

型号: UM6K1N-TP

品牌: 美微科

封装:

功能相似

SOT-363 N-CH 30V 0.1A

UM6K1NTN和UM6K1N-TP的区别