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US5U30TR
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 分立器件

TUMT P-CH 20V 1A

表面贴装型 P 通道 20 V 1A(Ta) 1W(Ta) TUMT5


得捷:
MOSFET P-CH 20V 1A TUMT5


贸泽:
MOSFET P-CH 20V 1A


艾睿:
Trans MOSFET P-CH Si 20V 1A 5-Pin TUMT T/R


安富利:
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 5-Pin TSMT T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH Si 20V 1A 5-Pin TUMT T/R


Verical:
Trans MOSFET P-CH Si 20V 1A 5-Pin TUMT T/R


Win Source:
MOSFET P-CH 20V 1A TUMT5


US5U30TR中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -20.0 V

额定电流 -1.00 A

通道数 1

漏源极电阻 280 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 1 W

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20 V

连续漏极电流Ids 1.00 A

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 150pF @10VVds

额定功率Max 700 mW

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 1W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 5

封装 SOT-353-5

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.6 mm

高度 0.85 mm

封装 SOT-353-5

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

US5U30TR引脚图与封装图
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