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US5U1TR
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 分立器件

TUMT N-CH 30V 1.5A

表面贴装型 N 通道 30 V 1.5A(Ta) 1W(Ta) TUMT5


得捷:
MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT5


贸泽:
MOSFET N-CH 30V 1.5A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 1.5A 5-Pin TUMT T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 1.5A 5-Pin TSMT T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 1.5A 5-Pin TSMT T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT5


US5U1TR中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 1.50 A

通道数 1

漏源极电阻 240 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 700 mW

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

连续漏极电流Ids 1.50 A

上升时间 9 ns

输入电容Ciss 80pF @10VVds

额定功率Max 700 mW

下降时间 6 ns

耗散功率Max 1W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 5

封装 SOT-353-5

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.6 mm

高度 0.85 mm

封装 SOT-353-5

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

US5U1TR引脚图与封装图
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