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UMF24NTR
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 分立器件

UMT NPN 50V 150mA/100mA

- 双极 BJT - 阵列 - 预偏置 1 NPN 预偏压式,1 NPN 50V 100mA,150mA 250MHz 150mW 表面贴装型 UMT6


得捷:
TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W UMT6


贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased COMPLEX BIOPLAR NPN+DTR


UMF24NTR中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 150 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 150mA/100mA

最小电流放大倍数hFE 30 @5mA, 5V

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSSOP-6

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 0.9 mm

封装 TSSOP-6

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

UMF24NTR引脚图与封装图
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型号: UMF24NTR

品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体

封装: 6-TSSOP NPN

当前型号

UMT NPN 50V 150mA/100mA

当前型号

型号: DDC114EUQ-13-F

品牌: 美台

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