UMH14NTR
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
UMH14NTR中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN
耗散功率 0.15 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 600
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 150 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSSOP-6
外形尺寸
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.9 mm
封装 TSSOP-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
UMH14NTR引脚图与封装图
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在线购买UMH14NTR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| UMH14NTR | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | NPN 100毫安50V复杂的数字晶体管（偏置电阻内置晶体管） NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors Bias Resistor Built-in Transistors | 搜索库存 |
替代型号UMH14NTR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： UMH14NTR 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： SOT-363 NPN 50V 100mA 0.15W | 当前型号 | NPN 100毫安50V复杂的数字晶体管（偏置电阻内置晶体管） NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors Bias Resistor Built-in Transistors | 当前型号 |
| 型号： IMH4AT110 品牌： 罗姆半导体 封装： SOT-457 NPN 50V 100mA 0.3W | 类似代替 | 晶体管 双极预偏置/数字, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm | UMH14NTR和IMH4AT110的区别 |
| 型号： UMH8NTR 品牌： 罗姆半导体 封装： SOT-363 NPN 50V 100mA 0.15W | 类似代替 | UMH8N 系列 50 V 100 mA 双 NPN 通用 数字 晶体管-SC-88 | UMH14NTR和UMH8NTR的区别 |