UMD4NTR
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
UMD4NTR中文资料参数规格
技术参数
额定功率 0.15 W
通道数 2
极性 NPN+PNP
耗散功率 0.15 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 68 @5mA, 5V
额定功率Max 150mW, 120mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 150 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363-6
外形尺寸
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.9 mm
封装 SOT-363-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
UMD4NTR引脚图与封装图 
UMD4NTR引脚图
UMD4NTR封装图
UMD4NTR封装焊盘图
替代型号UMD4NTR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： UMD4NTR 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： 6-TSSOP NPN PNP 0.15W | 当前型号 | 双极晶体管 - 预偏置 DUAL PNP/NPN | 当前型号 |
| 型号： EMD4T2R 品牌： 罗姆半导体 封装： EMT NPN PNP 150mW | 功能相似 | 双极晶体管 - 预偏置 DUAL PNP/NPN | UMD4NTR和EMD4T2R的区别 |