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UMB6NTR
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 分立器件

UMT PNP 50V 30mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 2 PNP - Pre-Biased Dual 50V 30mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6


得捷:
TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6


艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R


Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 50V 30mA 6-Pin UMT T/R


Verical:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R


UMB6NTR中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

耗散功率 0.15 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 30mA

最小电流放大倍数hFE 68 @5mA, 5V

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSSOP-6

外形尺寸

封装 TSSOP-6

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

UMB6NTR引脚图与封装图
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