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UMG8NTR
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 分立器件

50V,0.1A,双NPN晶体管

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 2 NPN - Pre-Biased Dual 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT5


得捷:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5


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2个NPN-预偏置 100mA 50V


e络盟:
晶体管 双极预偏置/数字, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm


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Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 5-Pin UMT T/R


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50V,0.1A,双NPN晶体管


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UMG8NTR中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 100 mA

额定功率 0.15 W

极性 N-Channel, NPN

耗散功率 0.15 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V

额定功率Max 150 mW

直流电流增益hFE 80

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 5

封装 TSSOP-5

外形尺寸

封装 TSSOP-5

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

UMG8NTR引脚图与封装图
UMG8NTR引脚图

UMG8NTR引脚图

UMG8NTR封装图

UMG8NTR封装图

UMG8NTR封装焊盘图

UMG8NTR封装焊盘图

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