额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
额定功率 0.15 W
极性 NPN
耗散功率 150 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 600
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 5
封装 SC-70-5
长度 2 mm
宽度 1.7 mm
高度 0.77 mm
封装 SC-70-5
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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UMG6NTR | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | UMG6N 系列 50 V 100 mA 表面贴装 双通道 NPN 数字晶体管 - SC-88A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: UMG6NTR 品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装: SOT-353 NPN 50V 100mA | 当前型号 | UMG6N 系列 50 V 100 mA 表面贴装 双通道 NPN 数字晶体管 - SC-88A | 当前型号 | |
型号: UMG4NTR 品牌: 罗姆半导体 封装: SOT-353 NPN 50V 100mA | 完全替代 | UMG4N 系列 50 V 100 mA 表面贴装 双 NPN 数字晶体管 - SC-88A | UMG6NTR和UMG4NTR的区别 | |
型号: EMG4T2R 品牌: 罗姆半导体 封装: 6-SMD NPN 50V 100mA | 完全替代 | EMT NPN 50V 100mA | UMG6NTR和EMG4T2R的区别 | |
型号: EMG6T2R 品牌: 罗姆半导体 封装: 6-SMD NPN | 完全替代 | EMT NPN 50V 100mA | UMG6NTR和EMG6T2R的区别 |