
额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
额定功率 0.15 W
极性 NPN
耗散功率 150 mW
集电极击穿电压 50.0 V
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 600
额定功率Max 150 mW
直流电流增益hFE 250
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-70-6
宽度 1.25 mm
高度 0.9 mm
封装 SC-70-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99

UMH3NTN引脚图

UMH3NTN封装图

UMH3NTN封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
UMH3NTN | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | ROHM UMH3NTN 双极晶体管阵列, 双路, NPN, 50 V, 150 mW, 100 mA, 250 hFE, SOT-363 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: UMH3NTN 品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装: SOT-363 NPN 50V 100mA 150mW | 当前型号 | ROHM UMH3NTN 双极晶体管阵列, 双路, NPN, 50 V, 150 mW, 100 mA, 250 hFE, SOT-363 | 当前型号 | |
型号: UMH3NTR 品牌: 罗姆半导体 封装: | 类似代替 | UMT NPN 50V 100mA | UMH3NTN和UMH3NTR的区别 | |
型号: DDC143TU-7 品牌: 美台 封装: 6-TSSOP NPN 50V 100mA 200mW | 功能相似 | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 6Pin SOT-363 T/R | UMH3NTN和DDC143TU-7的区别 | |
型号: UMH3NFHATN 品牌: 罗姆半导体 封装: SOT-353 NPN | 功能相似 | ROHM UMH3NFHATN 晶体管 双极预偏置/数字, 双路NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, 1 电阻比率, SOT-353 新 | UMH3NTN和UMH3NFHATN的区别 |