UMH11NTN
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
UMH11NTN中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 50.0 V
额定电流 50.0 mA
额定功率 0.15 W
极性 NPN
耗散功率 150 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 30 @5mA, 5V
额定功率Max 150 mW
直流电流增益hFE 30
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 150 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-70-6
外形尺寸
高度 0.9 mm
封装 SC-70-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
UMH11NTN引脚图与封装图 
UMH11NTN引脚图
UMH11NTN封装图
UMH11NTN封装焊盘图
在线购买UMH11NTN
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| UMH11NTN | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | NPN 100毫安50V复杂的数字晶体管（偏置电阻内置晶体管） NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors Bias Resistor Built-in Transistors | 搜索库存 |
替代型号UMH11NTN
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： UMH11NTN 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： SOT-363 NPN 50V 50mA 150mW | 当前型号 | NPN 100毫安50V复杂的数字晶体管（偏置电阻内置晶体管） NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors Bias Resistor Built-in Transistors | 当前型号 |
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