UMB9NTN
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
UMB9NTN中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -70.0 mA
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 68 @5mA, 5V
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 150 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-70-6
外形尺寸
封装 SC-70-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
UMB9NTN引脚图与封装图
暂无图片
在线购买UMB9NTN
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| UMB9NTN | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | UMB9N 系列 50 V 100 mA 表面贴装 双通道 PNP 数字晶体管 - SC-88 | 搜索库存 |
替代型号UMB9NTN
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： UMB9NTN 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： SOT-428 PNP -50V -70mA | 当前型号 | UMB9N 系列 50 V 100 mA 表面贴装 双通道 PNP 数字晶体管 - SC-88 | 当前型号 |
| 型号： DDA114YU-7 品牌： 美台 封装： SOT-363/SC-88/SC70-6 PNP 50V 100mA 200mW | 功能相似 | 特点•PNP预偏置小信号SOT-363双表面装载晶体管•外延平面电路小片建设•内置偏置电阻 | UMB9NTN和DDA114YU-7的区别 |