额定电压DC -50.0 V
额定电流 -100 mA
额定功率 0.15 W
极性 PNP
耗散功率 150 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363-6
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.9 mm
封装 SOT-363-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Not Recommended for New Design
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
UMB3NTN引脚图
UMB3NTN封装图
UMB3NTN封装焊盘图
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: UMB3NTN 品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装: SOT-363 PNP -50V -100mA 150mW | 当前型号 | 双数字三极管,PNP,Vceo=-50V,Ic=-100mA | 当前型号 | |
型号: IMB3AT110 品牌: 罗姆半导体 封装: SOT-457 PNP -50V -100mA 0.3W | 类似代替 | IMB3A 系列 50 V 100 mA 表面贴装 双 PNP 数字 晶体管 - SC-74 | UMB3NTN和IMB3AT110的区别 | |
型号: DDA143TU-7 品牌: 美台 封装: 6-TSSOP PNP 50V 100mA | 功能相似 | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW Automotive 6Pin SOT-363 T/R | UMB3NTN和DDA143TU-7的区别 | |
型号: IMB4AT110 品牌: 罗姆半导体 封装: SOT-457 PNP -50V -100mA | 功能相似 | SMT PNP 50V 100mA | UMB3NTN和IMB4AT110的区别 |