UMH1N-TP中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
耗散功率 150 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 56 @5mA, 5V
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 150 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363
外形尺寸
封装 SOT-363
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
UMH1N-TP引脚图与封装图
暂无图片
替代型号UMH1N-TP
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： UMH1N-TP 品牌： Micro Commercial Components 美微科 封装： 6-TSSOP NPN | 当前型号 | SOT-363 NPN 50V 100mA | 当前型号 |
| 型号： UMH1NTN 品牌： 罗姆半导体 封装： SOT-363 NPN 50V 30mA 150mW | 类似代替 | ROHM UMH1NTN 双极晶体管阵列, 双路, NPN, 50 V, 150 mW, 100 mA, 56 hFE, SOT-363 | UMH1N-TP和UMH1NTN的区别 |
| 型号： DDC124EU-7 品牌： 美台 封装： 6-TSSOP NPN 50V 100mA | 功能相似 | TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT363 | UMH1N-TP和DDC124EU-7的区别 |
| 型号： UMH1N 品牌： 罗姆半导体 封装： | 功能相似 | 通用（双数字晶体管） General purpose dual digital transistors | UMH1N-TP和UMH1N的区别 |