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UMZ8NTR
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 分立器件

UMT NPN+PNP 50V/12V 0.15A/0.5A

- 双极 BJT - 阵列 NPN,PNP 50V,12V 150mA,500mA 180MHz,260MHz 150mW 表面贴装型 UMT6


得捷:
TRANS NPN/PNP 50V/12V UMT6


安富利:
Trans GP BJT NPN/PNP 50V/12V 0.15A/0.5A 6-Pin UMT T/R


Win Source:
TRANS NPN/PNP 50V/12V UMT6


UMZ8NTR中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN+PNP

击穿电压集电极-发射极 50V, 12V

集电极最大允许电流 0.15A/0.5A

额定功率Max 150 mW

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSSOP-6

外形尺寸

封装 TSSOP-6

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

UMZ8NTR引脚图与封装图
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