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UMT1N-TP

SOT-363 PNP 50V 0.15A

- 双极 BJT - 阵列 2 PNP(双) 50V 150mA 140MHz 150mW 表面贴装型 SOT-363


得捷:
TRANS 2PNP 50V 0.15A SOT363


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT -50V -150mA 150mW


艾睿:
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 6-Pin SOT-363 T/R


DeviceMart:
TRANS ARRAY PNP DUAL 50V SOT363


UMT1N-TP中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

耗散功率 150 mW

增益频宽积 140 MHz

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 0.15A

最小电流放大倍数hFE 120 @1mA, 6V

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-363-6

外形尺寸

封装 SOT-363-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

UMT1N-TP引脚图与封装图
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在线购买UMT1N-TP
型号 制造商 描述 购买
UMT1N-TP Micro Commercial Components 美微科 SOT-363 PNP 50V 0.15A 搜索库存
替代型号UMT1N-TP
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: UMT1N-TP

品牌: Micro Commercial Components 美微科

封装: 6-TSSOP PNP

当前型号

SOT-363 PNP 50V 0.15A

当前型号

型号: UMT1NTN

品牌: 罗姆半导体

封装: SC-88 PNP -50V -150mA 150mW

类似代替

ROHM  UMT1NTN  双极晶体管阵列, 混合式, PNP, -50 V, 150 mW, -150 mA, 120 hFE, SC-88

UMT1N-TP和UMT1NTN的区别

型号: SMBT3906S

品牌: 英飞凌

封装:

功能相似

SMBT3906S PNP+PNP复合三极管 -40V -200mA HEF=100~300 SOT-363 标记S2A 用于开关/数字电路

UMT1N-TP和SMBT3906S的区别

型号: FFB3906

品牌: 安森美

封装:

功能相似

Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 6-Pin SC-70 T/R

UMT1N-TP和FFB3906的区别