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UNR521200L

UNR521200L

数据手册.pdf
Panasonic(松下) 分立器件

SMini3-G1 NPN 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 150mW Surface Mount SMini3-G1


得捷:
TRANS PREBIAS NPN 150MW SMINI3


Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 150MW SMINI3


UNR521200L中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 100 mA

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 60 @5mA, 10V

额定功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-323

外形尺寸

封装 SOT-323

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

UNR521200L引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
UNR521200L Panasonic 松下 SMini3-G1 NPN 50V 100mA 搜索库存
替代型号UNR521200L
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: UNR521200L

品牌: Panasonic 松下

封装: SOT-323 NPN 50V 100mA

当前型号

SMini3-G1 NPN 50V 100mA

当前型号

型号: SMUN2212T1G

品牌: 安森美

封装: SC-59 NPN 338mW

功能相似

SC-59 NPN 50V 100mA

UNR521200L和SMUN2212T1G的区别

型号: NSVMUN2212T1G

品牌: 安森美

封装: SC-59-3 NPN 338mW

功能相似

数字晶体管( BRT ) R1 = 22千欧, R2 = 22 K· Digital Transistors BRT R1 = 22 k, R2 = 22 k

UNR521200L和NSVMUN2212T1G的区别