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UNR211600L

UNR211600L

数据手册.pdf
Panasonic(松下) 分立器件

Mini3-G1 PNP 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50V 100mA 80MHz 200mW Surface Mount Mini3-G1


得捷:
TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3


Win Source:
TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3


UNR211600L中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -100 mA

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 160 @5mA, 10V

额定功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

UNR211600L引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
UNR211600L Panasonic 松下 Mini3-G1 PNP 50V 100mA 搜索库存
替代型号UNR211600L
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: UNR211600L

品牌: Panasonic 松下

封装: TO-236 PNP -50V -100mA

当前型号

Mini3-G1 PNP 50V 100mA

当前型号

型号: DRA2143T0L

品牌: 松下

封装: Mini3-G3-B PNP

类似代替

单电阻器数字晶体管,Panasonic### 数字晶体管,Panasonic配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。

UNR211600L和DRA2143T0L的区别