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UNR221L00L

UNR221L00L

数据手册.pdf
Panasonic(松下) 分立器件

Mini3-G1 NPN 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 200mW Surface Mount Mini3-G1


得捷:
TRANS PREBIAS NPN 200MW MINI3


Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin Mini3-G1


Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 200MW MINI3


UNR221L00L中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 500 mA

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 20 @5mA, 10V

额定功率Max 200 mW

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

UNR221L00L引脚图与封装图
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UNR221L00L Panasonic 松下 Mini3-G1 NPN 50V 100mA 搜索库存
替代型号UNR221L00L
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: UNR221L00L

品牌: Panasonic 松下

封装: Mini3-G1 NPN 50V 500mA

当前型号

Mini3-G1 NPN 50V 100mA

当前型号

型号: PDTC143ET,215

品牌: 恩智浦

封装: SOT-23 N-Channel 250mW

功能相似

NXP  PDTC143ET,215  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, 1 电阻比率, SOT-23

UNR221L00L和PDTC143ET,215的区别

型号: FJV3101RMTF

品牌: 飞兆/仙童

封装: SOT-23 NPN 50V 100mA

功能相似

Fairchild Semiconductor### 数字晶体管,Fairchild Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。

UNR221L00L和FJV3101RMTF的区别