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UNR221400L

UNR221400L

数据手册.pdf
Panasonic(松下) 分立器件

Mini3-G1 NPN 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 200mW Surface Mount Mini3-G1


得捷:
TRANS PREBIAS NPN 200MW MINI3


Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 200MW MINI3


UNR221400L中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 500 mA

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V

额定功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

UNR221400L引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
UNR221400L Panasonic 松下 Mini3-G1 NPN 50V 100mA 搜索库存
替代型号UNR221400L
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: UNR221400L

品牌: Panasonic 松下

封装: TO-236 NPN 50V 500mA

当前型号

Mini3-G1 NPN 50V 100mA

当前型号

型号: DRC2114Y0L

品牌: 松下

封装: Mini3-G3-B NPN

类似代替

PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS  DRC2114Y0L  晶体管, 双极性, NPN, 50V, 100mA, SOT-23

UNR221400L和DRC2114Y0L的区别

型号: SMUN2214T1G

品牌: 安森美

封装: SC-59-3 NPN 338mW

功能相似

数字晶体管( BRT ) R1 = 10千欧, R2 = 47 K· Digital Transistors BRT R1 = 10 k, R2 = 47 k

UNR221400L和SMUN2214T1G的区别