额定电压DC 50.0 V
额定电流 500 mA
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 60 @5mA, 10V
额定功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
封装 SOT-23-3
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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UNR221200L | Panasonic 松下 | Mini3-G1 NPN 50V 100mA | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: UNR221200L 品牌: Panasonic 松下 封装: TO-236 NPN 50V 500mA | 当前型号 | Mini3-G1 NPN 50V 100mA | 当前型号 | |
型号: DRC2124E0L 品牌: 松下 封装: Mini3-G3-B NPN | 完全替代 | Mini3-G3-B NPN 50V 100mA | UNR221200L和DRC2124E0L的区别 | |
型号: MUN2212T1G 品牌: 安森美 封装: SC-59 NPN 50V 100mA 338mW | 功能相似 | NPN 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。 ### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。 | UNR221200L和MUN2212T1G的区别 | |
型号: NSVMMUN2212LT1G 品牌: 安森美 封装: SOT-23-3 NPN 400mW | 功能相似 | NPN晶体管与单片偏置电阻网络 NPN Transistors with Monolithic Bias Resistor Network | UNR221200L和NSVMMUN2212LT1G的区别 |