UNR211400L

Panasonic(松下) 分立器件

Mini3-G1 PNP 50V 100mA

- 双极 BJT - 单，预偏置 PNP - 预偏压 50 V 100 mA 150 MHz 200 mW 表面贴装型迷你型3-G1

得捷:
TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3

Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin Mini3-G1

Win Source:
TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3

UNR211400L中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -100 mA

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V

额定功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

UNR211400L引脚图与封装图

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型号	制造商	描述	购买
UNR211400L	Panasonic 松下	Mini3-G1 PNP 50V 100mA	搜索库存

替代型号UNR211400L

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： UNR211400L 品牌： Panasonic 松下封装： Mini3-G1 PNP -50V -100mA	当前型号	Mini3-G1 PNP 50V 100mA	当前型号
型号： MMUN2114LT1G 品牌：安森美封装： SOT-23 PNP -50V -100mA 400mW	功能相似	ON SEMICONDUCTOR MMUN2114LT1G 晶体管双极预偏置/数字, BRT, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 4.7 电阻比率, SOT-23	UNR211400L和MMUN2114LT1G的区别
型号： MUN2114T1G 品牌：安森美封装： SC-59 PNP -50V -100mA 338mW	功能相似	偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor	UNR211400L和MUN2114T1G的区别
型号： PDTA114YT,215 品牌：安世封装： TO-236AB	功能相似	Nexperia PDTA114YT,215 PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:0.21，1, 3引脚	UNR211400L和PDTA114YT,215的区别