锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

UNR221T00L

UNR221T00L

数据手册.pdf
Panasonic(松下) 分立器件

Mini3-G1 NPN 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 200mW Surface Mount Mini3-G1


得捷:
TRANS PREBIAS NPN 200MW MINI3


Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin Mini3-G1


UNR221T00L中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 100 mA

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V

额定功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

UNR221T00L引脚图与封装图
暂无图片
在线购买UNR221T00L
型号 制造商 描述 购买
UNR221T00L Panasonic 松下 Mini3-G1 NPN 50V 100mA 搜索库存
替代型号UNR221T00L
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: UNR221T00L

品牌: Panasonic 松下

封装: 50V NPN 50V 100mA

当前型号

Mini3-G1 NPN 50V 100mA

当前型号

型号: DRC2124X0L

品牌: 松下

封装: Mini3-G3-B NPN

类似代替

NPN 晶体管,Panasonic### 数字晶体管,Panasonic配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。

UNR221T00L和DRC2124X0L的区别

型号: MUN2234T1G

品牌: 安森美

封装: SC-59 NPN 50V 100mA 338mW

功能相似

数字晶体管( BRT ) R1 = 22千欧, R2 = 47 K· Digital Transistors BRT R1 = 22 k, R2 = 47 k

UNR221T00L和MUN2234T1G的区别

型号: SMMUN2234LT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23-3 NPN 400mW

功能相似

NPN 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。

UNR221T00L和SMMUN2234LT1G的区别