锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

UNR221700L

UNR221700L

数据手册.pdf
Panasonic(松下) 分立器件

Mini3-G1 NPN 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 200mW Surface Mount Mini3-G1


得捷:
TRANS PREBIAS NPN 200MW MINI3


Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin Mini3-G1


UNR221700L中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 500 mA

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 160 @5mA, 10V

额定功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

UNR221700L引脚图与封装图
暂无图片
在线购买UNR221700L
型号 制造商 描述 购买
UNR221700L Panasonic 松下 Mini3-G1 NPN 50V 100mA 搜索库存
替代型号UNR221700L
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: UNR221700L

品牌: Panasonic 松下

封装: 50V NPN 50V 500mA

当前型号

Mini3-G1 NPN 50V 100mA

当前型号

型号: E2E-X16MC3L18-M1

品牌: 欧姆龙

封装:

功能相似

SENSOR INDUCT 16MM NPN M18 NO/NC

UNR221700L和E2E-X16MC3L18-M1的区别